超宽禁带半导体AlN衬底研发及产业化
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超宽禁带半导体AlN衬底研发及产业化获得团队优胜奖，序号25，核心团队排名第一人身份证号/护照号320*********4417，来自2025“创·在上海”国际创新创业大赛“团队优胜奖”获奖名单，录入时间2026年10月
